Полупроводниковый триод, как и трехэлектродная лампа, обладает усилительными свойствами. С его помощью можно усиливать напряжение и мощность постоянного и переменного тока. Усиление происходит за счет энергии источников питания, а триод выполняет функцию своеобразного регулятора, который под воздействием слабых входящих сигналов изменяет токи в выходной цепи, обладающей большим сопротивлением и получающей питание от источника с большим [...]

В диффузионных триодах концентрация атомов акцепторов примеси в базе неодинакова по ее толщине: около эмиттера концентрация значительно больше, чем у коллектора. Следовательно, и концентрация основных носителей заряда у эмиттера больше, чем у коллектора.
Так как произведение концентрации основных и неосновных носителей для данной температуры величина постоянная, то спадение концентрации основных носителей по направлению к коллектору сопровождается [...]

Полупроводниковые триоды типа п-р-п или р-п-р имеют два электронно-дырочных перехода: эмиттер — база и база — коллектор. К переходу эмиттер — база напряжение прикладывается в пропускном направлении, а к переходу база — коллектор — в запорном.
При замыкании ключей Ki и К2 в цепи проходит прямой ток, создаваемый направленным движением основных носителей заряда: электронов эмиттера и дырок базы. Путь тока: +Би [...]

Полупроводниковые триоды разработаны в 1980 г. Первые образцы их были точечными, но вскоре появились и плоскостные.
Полупроводниковый триод состоит из трех частей: эмиттера, базы и коллектора. Эмиттер впрыскивает, или, как говорят, инжектирует, носители заряда в базу. Коллектор собирает в свою цепь носители заряда, инжектируемые в базу эмиттером. По аналогии с трехэлектродной лампой эмиттер соответствует катоду, база — [...]

В последнее время в иностранной печати появились сообщения о разработках новых полупроводниковых приборов, названных туннельными диодами. Принцип работы их основан на туннельном эффекте. В кристаллах, где расстояние между соседними атомами очень мало и соизмеримо с протяженностью их электронных оболочек (10~8 см), электроны могут переходить от атома к атому, даже не приобретая энергии, необходимой для отрыва [...]

В этих условиях количество носителей заряда, отданных атомами основного полупроводника, становится во много раз больше, чем количество носителей, отданных атомами примеси; электропроводность материала типа я и материала типа р осуществляется перемещением практически равного числа электронов и дырок, т. е. становится собственной. Разность концентраций носителей заряда материала типа р и материала типа п, а также контактная [...]

Выпрямительные свойства п-р-переходов рассмотрим на примере плоскостного диода. Левая его часть имеет электронную проводимость, а правая – дырочную.
Так как концентрация электронов в н-области больше, чем в р-области, электроны стремятся диффундировать в р-область. По этой же причине дырки стремятся перейти в л-область. При этом происходит перенос электрических зарядов, вследствие чего дырочная область заряжается.
Однако и в состоянии [...]