Архив рубрики: Полупроводниковые приборы

Стабилизация цепей питания

Как указывалось выше, характеристики и параметры полупроводниковых триодов существенно зависят от температуры окружающей среды и имеют значительный разброс в различных экземплярах. Вследствие этого при изменении окружающей температуры и смене триодов возможны изменения режима работы усилительных каскадов. Для стабилизации режима важное значение имеет цепь питания база — эмиттер, которую часто называют цепью смещения, так как напряжение постоянного [...]

Выпрямительные элементы

В качестве отдельных выпрямительных элементов полупроводниковые диоды чаще всего встречаются в цепях индикаторных приборов. Колебания рабочей частоты передатчика с усилителя поступают в антенный контур. Ток контура, проходя через трансформатор Гр, индуктирует в его обмотке э. д. с. В те полупериоды, когда на правом конце обмотки плюс, а на левом минус, напряжение к диоду Д2В приложено [...]

Понятие о полупроводниковых фотосопротивлениях, фотоэлементах и термобатареях

Фотосопротивлением называют полупроводниковое сопротивление, величина которого изменяется под действием света. Фотосопротивление, состоящее из изолирующей подкладки, на которую нанесен тонкий слой полупроводника, и двух металлических электродов, включается в цепь последовательно с источником питания.
Когда фотосопротивление затемнено, полупроводник при данной температуре обладает какой-то проводимостью, вследствие чего по цепи проходит темновой ток. При освещении фотосопротивления на поверхность полупроводника падают [...]

Испытания и измерения

Простейшая проверка полупроводниковых приборов производится омметром. При подключении напряжения в прямом направлении прибор должен показывать малое сопротивление (единицы или десятки ом),а в обратном направлении — большое сопротивление (сотни килоом или мегомы).
Приставка состоит из ключа К на два положения, кнопки Кн, сопротивления Ri = 75 ком, зажимов для подключения микроамперметра и проверяемого триода. Питание приставки осуществляется от [...]

Эксплуатация полупроводниковых приборов

Маркировка. Полупроводниковые диоды и триоды маркируются согласно ГОСТ 5461-56. Обозначение полупроводниковых приборов состоит из трех элементов, например Д101А, П4А, С1Б и т. д.
Буквы первого элемента означают: Д — диоды; С — точечные триоды; П — плоскостные триоды.
Цифры второго элемента означают материал и характеризуют прибор по мощности и частоте. Для диодов установлены следующие значения цифр второго элемента: 1 -100 — [...]

Основные параметры и характеристики полупроводниковых триодов

Оценка полупроводниковых триодов, определение возможности их использования в тех или иных схемах и выбор надлежащих режимов работы производятся по их параметрам и характеристикам.
Полупроводниковые триоды в зависимости от допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе, подразделяются на три группы. Маломощными считаются триоды, у которых допустимая мощность рассеивания на коллекторе не превышает 250 мет. К триодам средней мощности относятся [...]

Температурные и частотные свойства полупроводниковых триодов

Диапазон рабочих температур полупроводниковых триодов, определяемый свойствами ft-p-переходов, такой же, как и для полупроводниковых диодов.
С увеличением частоты усилительные свойства полупроводниковых триодов ухудшаются, что объясняется влиянием емкостей я-р-переходов, неодинаковой скоростью диффузии неосновных носителей заряда через базу и другими факторами.
Причины возникновения емкостей, шунтирующих я-р-переходы, рассмотрены выше. С увеличением частоты емкостное сопротивление уменьшается и шунтирующее действие емкостей возрастает. [...]

 Страница 2 из 5 « 1  2  3  4  5 »